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  • 模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第五章.doc4

    模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第五章.doc 模拟电子技术基础 王卫东 课后习题答案 第五章.doc

    第五章 放大电路的频率特性 5.1 已知某级联放大电路的电压增益函数为 试画出它的幅频波特图和相频波特图; 解由题可知 (即,极点数目大于零点数目),且极点数值较大。该增益函数为高频增益函数。故中频增益为 即 中频段相移 由频率响应函数 可得 幅频特性 ...

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  • 模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第七章.doc6

    模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第七章.doc 模拟电子技术基础 王卫东 课后习题答案 第七章.doc

    第七章 集成运算放大器及其运用 7.4电路如题7.4图所示。已知A1、A2理想,且,。 (1) 写出电路传递函数的时域表达式; (2) 写出输入电阻的表达式,并讨论该电路能够稳定工作的条件; - + A1 ¥ ui R1 R2 uo A2 ¥ - R R3 R4 uo2 iR iR1 ii (3)

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  • 模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第二章.doc10

    模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第二章.doc 模拟电子技术基础 王卫东 课后习题答案 第二章.doc

    第二章 晶体三极管(BJT)放大电路基础 2.2电路如题2.2图所示。设晶体管的,,,。 (1) 试求时的、、及晶体管的集电极功耗的值; (2) 若将图中的晶体管换成另一只的管子,电路还能否正常放大信号为什么 15V 5V ui - Rb V1 Rc Uo - 题2.2图 解(1)由题有 ...

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  • 模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第四章.doc8

    模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第四章.doc 模拟电子技术基础 王卫东 课后习题答案 第四章.doc

    第四章 场效应管及MOS模拟集成电路基础 4.7 电路如题4.7图所示。已知,,,,;场效应管的,;电容、、的值均足够大,对交流信号可视作短路。试求 (1) 静态工作点、和; (2) 从漏极输出时的电压放大倍数及输出电阻的值; (3) 从源极输出时的电压放大倍数及...

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  • 模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第三章.doc9

    模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第三章.doc 模拟电子技术基础 王卫东 课后习题答案 第三章.doc

    第三章 模拟集成基本单元电路 3.4 题3.4图是以三极管比例恒流源作为有源负载的射极跟随器电路(基极偏置电路未画出)。若三极管的,时,求,和。 解;画出电路的等效恒流源模型和交流通路分别如题3.4解图a和b所示。由题3.4图有 V2 - uo ui - V3 V1 R 5.1KW R2 2..

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  • 模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第六章.doc9

    模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第六章.doc 模拟电子技术基础 王卫东 课后习题答案 第六章.doc

    第六章 负反馈技术 6.3电路如题6.3图所示,是找出各电路中的反馈元件,并说明是直流反馈还是交流反馈。 b V2 C1 - uo ui - EC V1 C3 R2 R5 R6 R3 R4 R1 - - V2 C1 - uo ui - EC V1 C3 R2 R5 R6 R3 R4 C2

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  • 模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第一章.doc6

    模拟电子技术基础 王卫东版 课后习题答案 第一章.doc 模拟电子技术基础 王卫东 课后习题答案 第一章.doc

    第一章 半导体基本器件及应用 R 1KW V2 V3 V1 ED 10V UO a ID 1.2 电路如题1.2图所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的和;(2)在室温情况下,利用二极管的小信号模型求的变化范围。(3)在输出端外接一负载时,问输出电压的变化范围如何 ±1V - 1KW 3rd

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础0.ppt5

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    模拟电子电路基础 CAI,编者王卫东 桂林电子工业学院,目录,1,第一章 半导体基本器件及应用电路,第二章 BJT放大电路基础,第三章 模拟集成基本单元电路,第四章 场效应管及MOS集成电路基础,第五章 放大器的频率响应,第六章 负反馈技术及稳定化基础,第七 章 集成运算放大...

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础1.1.ppt37

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    第一章 半导体基本器件及应用电路,§1.1 半导体材料及导电特性,§1.2 PN结原理,§1.4 双极型晶体管,§1.3 晶体二极管及应用,返回,1.1半导体材料及导电特性,1.1 .1 本征半导体,1. 1 . 2 杂质半导体,1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流,引言,返回,1.1半导体材料及导

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础1.2.ppt34

    王卫东ppt 模拟电子电路基础1.2.ppt 王卫东ppt 模拟电子电路基础1.2.ppt

    2019/3/31,1,1,§1.4 双极型晶体三极管BJT,1.4 .1 BJT的工作原理,1. 4 . 2 BJT的静态特性曲线,1. 4. 3 BJT的主要参数,返回,1. 4. 3 BJT的小信号模型,,结构 由两个PN结和三个电极构成。 有两个基本类型 NPN型 PNP型,基 区(B)区薄

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础2.1.ppt22

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    第二章 BJT放大电路基础,§2.1 放大电路的基本组成和工作原理,§2.2 三种基本组态放大电路的特性与分析,返回,§ 2.3 BJT组合放大电路,继续,§2.1 放大电路的基本组成和工作原理,2.1 .1 基本放大器及其模型,2.1.2图解法与动态工作分析,返回,,2.1 .1 基本放大器及其模

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础2.2.ppt11

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    §2.2 三种基本组态放大电路的特性与分析,2.2.1 共射放大电路的特性与动态分析,2.2.2 共集电极电路(射随器),2.2.3 共基极(CB)放大电路,返回,2.2.1 共射放大电路的特性与动态分析,休息1,休息2,返回,1 交流小信号(微变动态)分析,,,,,,,,休息1,休息2,返回,2

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础2.3.ppt22

    王卫东ppt 模拟电子电路基础2.3.ppt 王卫东ppt 模拟电子电路基础2.3.ppt

    2.2.2 共集电极电路(射随器),继续,电路仿真,休息1,休息2,(1)发射极接负载,又称射极 输出器,(2)输入信号与输出信号同相, 大小基本相等,又称射极跟 随器,(3) 输入阻抗大,输出阻抗小, 具有隔离阻抗变换的作用,(4)在IC电路中常用有源负载射 极跟随器,2. ...

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础3.2.ppt12

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    3.3.2 共射差放理想对称时的大信号特性,uBE1,uBE2,UE,休息1,休息2,返回,,休息1,休息2,3.3.2 共射差放理想对称时的大信号特性,返回,,电路仿真,3.3.2 共射差放理想对称时的大信号特性,返回,休息1,休息2,3.3.3 基本共射差放理想对称时的微变等效分析,ΔUEE,,

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础3.1.ppt12

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    §3.2 带电流源(恒流源)的放大电路,3.2 .1 有源负载共射放大电路的分析,3.2.2 有源负载共集电极电路(射随器,返回,3.2 .1 有源负载共射放大电路的分析,EC,返回,休息1,休息2, ui _, uo _,,, uo -,3.2.2有源负载共集电极电路,电路仿真,返回,,休息1,休

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础3.3.ppt19

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    §3.4 乙类推挽输出级电路与功率放大器,休息1,休息2,返回,3.4.1 概述,3.4.2 乙类推挽输出级的工作原理,3.4.3 输出功率,管耗和效率的分析计算,3.4.4 达林顿组态,3.4.1 概述,,,,,,,,,,,,,,·Q,,,,,,,,,,,,,,·Q’,·Q’’,,,,,,,休息1

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础3.ppt16

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    第三章 模拟集成基本单元电路,§3.2 集成电路(IC)中的电流源,§3.2 带电流源(恒流源)的放大电路,§3.3 差动(差分)放大电路的特性与分析,§3.4 乙类推挽输出级电路与功率放大器,返回,§ 3.1 半导体集成电路概述,§ 3.1 半导体集成电路概述,返回,第一块集成电路出现...

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础4.1.ppt15

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    第四章 MOS 模拟集成电路基础,§4.1 场效应晶体管,§4.2 JFET放大电路,休息1,休息2,§4.3 MOS模拟集成电路基础,返回,§4.1 场效应晶体管,引言,4.1.1 JFET的结构及基本工作原理,休息1,休息2,4.1.2 JFET伏安特性曲线,返回,4.1.3 绝缘栅场效应管,4

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  • 王卫东ppt 模拟电子电路基础4.2.ppt14

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    4.1.4 FET小信号等效模型,休息1,休息2,返回,4.1.4 FET小信号等效模型,休息1,休息2,返回,其中, 是在uGS 0情况下的跨导,当iD采用静态工作电流ID,gm相应表示静态工作点附近的跨导 。,§4.2 JFET放大电路,4.2.1 JFET三种基本组态放大电路及性能比较,4.2

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    §4.3 MOS模拟集成电路基础,(一) MOS模拟集成基本单元电路,,(1) 镜像电流源, uGS _, uDS2 -,仿真,2 MOS比例电流源,,仿真,仿真,2 MOS单级放大器, uGS _, uBS _, uDS _, uGS _, uDS _,其中gm是转移跨导,即,gmb称为背栅跨导,

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